我公司近期完成了对超高真空等离子增强化学气相沉积设备的抄板， 此等离子增强化学气相沉积设备主要由全真空专用不锈钢腔体，分子泵高真空系统，电源，生长机体载体及温控系统，独立排气和生长压力调节系统，冷却循环水辅助设备等组成。整机结构紧凑、操作方便、抽真空速度快。此设备控制系统采用逻辑按钮手动控制与工控机自控控制可选。实现真空抽气和镀膜工艺一体化功能。此设备可用于制作SiO2、Si3N4、非晶Si：H、多晶Si、SiC、W、Ti-Si、GaAs、GaSb等介电、半导体及金属膜等。
主要技术指标：
主沉积室 Φ450mm×H400mm,立式前开门结构，后置抽气系统，双层水冷
基片台尺寸 Φ125mm
基片台运动 转速0-20RPM、磁流体密封
沉积温度 室温至700℃可调可控
有机源、固体源 室温至250℃、500℃分别可调可控
电源 射频电源
真空系统 分子泵高真空系统, 从大气抽到10-3Pa小于或等于20分钟
极限真空 8.0×10-5Pa
控制系统 自动抽真空
报警及保护 对缺水、过流过压、断路等异常情况进行报警及相应保护措施
水冷、气路系统 冷却水循环机、无噪声气泵
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